Materiales termocrómicos de película delgada
Thermochromic thin film materials
Esta investigación tuvo como objetivo el desarrollo de materiales termocrómicos de película delgada. El material de base utilizado fue vanadio (V) y pentóxido de vanadio (V2O5). Este último se produce mediante el uso de evaporación térmica resistiva y pulverización catódica RF con magnetrón (RF magnetron sputtering) como material singular o en forma de una aleación (tal como los NP de Sn, Ag y Au y óxidos tales como TiO2 y WO3). Asimismo, se realizó un estudio de las propiedades de las películas depositadas a partir de un blanco de tungsteno (W) por medio de pulverización catódica RF con magnetrón.
El estudio de las propiedades de las películas delgadas obtenidas consistió en el análisis de las características eléctricas, ópticas, estructurales y morfológicas de las películas, las cuales fueron depositadas y sometidas a reconocimientos de tres tipos y a tres temperaturas diferentes. Como técnicas de caracterización se usaron espectroscopía de infrarrojo visible y cercano, difracción de rayos X, microscopía de barrido electrónico, perfilometría, conductividad eléctrica en función de la temperatura y termografía.
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Formatopdf
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Idioma:portugues
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Tamaño:3364 kb
Thermochromic properties of vanadium dioxide films obtained by magnetron sputtering
Propiedades termocrómicas de películas de dióxido de vanadio obtenidas mediante pulverización catódica con magnetrón
En esta investigación se estudiaron las propiedades estructurales, electrofísicas y ópticas de películas termocrómicas de VO2 preparadas mediante pulverización catódica con magnetrón. Se muestra que las propiedades termocrómicas de películas de VO2 pueden mejorarse en el caso de una formación de dos fases: pulverización catódica a una temperatura de sustrato de 200ºC seguida de recocido térmico (thermal annealing). Los datos de los estudios experimentales confirman la formación de cristalitos de VO2 con un tamaño promedio de 26 nm y una red cristalina monoclínica en las películas estudiadas.
Este artículo fue elaborado por V.P. Melnik, I.M. Khatsevych, Yu.V. Goltvyanskyi, V.A. Nikirin, B.M. Romannyuk, V.G. Popov, V.P. Klad´ko y A.V. Kuchuk (V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kiev, Ucrania) para el Ukrainian Journal of Physics (Vol. 56, No 6, 2011, 534-540), publicación del Department of Physics and Astronomy de la National Academy of Sciences of Ukraine que difunde trabajos en los campos de física teórica y experimental.
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Formatopdf
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Idioma:inglés
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Tamaño:774 kb