CZTS
Nuevos materiales y aplicaciones
Crystal structure and electronic structure of quaternary semiconductors Cu2ZnTiSe4 and Cu2ZnTiS4 for solar cell absorber
Estructuras cristalina y electrónica de semiconductores cuaternarios Cu2ZnTiSe4 y Cu2ZnTiS4 para absorbedores de celdas solares
Los autores de esta investigación diseñaron dos nuevos semiconductores cuaternarios Cu2ZnTiSe4 y Cu2ZnTiS4 tipo I2-II-IV-VI4 y estudiaron sistemáticamente sus estructuras cristalina y electrónica empleando cálculos de primeros principios de estructura electrónica. Entre las estructuras cristalinas consideradas, se confirmó que las brechas energéticas (band gaps) de Cu2ZnTiSe4 y Cu2ZnTiS4 se originaban de la banda de valencia 3d de Cu totalmente ocupada y la banda conductora 3d de Ti; asimismo, la estructura de la kesterita debía estar en su estado fundamental.
Este documento fue preparado por Xiaofeng Wang, Junjie Li, Zhenjie Zhao, Sumei Huang y Wenhui Xie (Engineering Research Center for Nanophotonics and Advanced Instrument, Department of Physics, East China Normal University, Shanghai, República Popular China). Se encuentra alojado en la página de arXiv.org, depósito institucional fundado y mantenido por la Cornell University Library (Cornell University. Ithaca, NY, Estados Unidos).
Effect of Growth Parameters and Annealing Atmosphere on the Properties of Cu2ZnSnS4 Thin Films Deposited by Cosputtering
Efecto de los parámetros de crecimiento y de la atmósfera de recocido sobre las propiedades de películas delgadas de Cu2ZnTiS4 depositadas mediante cosputtering
Se depositaron películas delgadas de Cu2ZnSnS4 (CZTS) utilizando la técnica de cosputtering. Se optimizaron parámetros de crecimiento tales como presión de trabajo y atmósfera luego del recocido. Se llevó a cabo un estudio comparativo entre la etapa posterior al recocido utilizando vapor de azufre en un horno de tubo de cuarzo y una cámara de sulfuración utilizando H2S para optimizar la fase kesterita. Un recocido en vapor de azufre por 10 min a 530ºC en el horno eliminó todas las fases secundarias. La difusión de azufre en la película durante el recocido mejoró su cristalinidad.
Este artículo fue preparado por Arun Khalkar, Kwang-Soo Lim, Seong-Man Yu, Shashikant P. Patole y Ji-Beom Yoo (Sungkyunkwan University, Seúl, Corea del sur) para el International Journal of Photoenergy (Vol. 2013, 2013, 7 págs.), revista de Hindawi Publishing Corporation (Nueva York, NY, Estados Unidos) que difunde trabajos en todas las áreas de la fotoenergía.
